半导体存储器芯片中只读存储器的分类及特点应用

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#111723#半导体存储器芯片中的只读存储器（Read Only Memory，ROM），是一种存储牢固信息的存储器，在畸形任务状况下只能读取数据，不能即时修正或从新写入数据。
这类存储器电路构造简略，且寄存的数据在断电后不会丧失，特殊合适于存储永恒性的、稳定的顺序代码或数据，比方盘算机中的自检顺序就是固化在ROM中的。
ROM的最大长处是存在不易失性。
ROM有弗成重写只读存储器（MROM、PROM）和可重写只读存储器（EPROM、EEPROM、闪速存储器等）两大类。
弗成重写只读存储器，也可分为两类，包含掩模只读存储器（MROM）和可编程只读存储器（PROM）。

1、掩模只读存储器（MROM）
掩模只读存储器，又称牢固ROM。这类ROM在制作时，出产商应用掩模（Mask）技巧把信息写入存储器中，应用时用户没法变动，适合大量量出产。
MROM又可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三品种型。
2、可编程只读存储器（PROM）
可编程只读存储器（Programmable ROM，简称PROM），是可由用户一次性写入信息的只读存储器，是在MROM的基本上开展而来的。
PROM的毛病是用户只能写入一次数据，写入后就不能再修正。
可重写只读存储器
这类ROM由用户写入数据（顺序），前期也能够操纵修正，应用起来比拟自在、便利。可重写ROM又可分为紫外线擦除EPROM、电擦除EEPROM和闪速存储器Flash ROM三品种型。
1、光擦可编程只读存储器（EPROM）
光擦可编程只读存储器（EPROM）的特色是内容能够用特别的方法擦除和重写。EPROM出厂时，其存储内容为全「1」，用户可依据须要将部份内容改写为「0」，须要修正存储内容时，可将原存储内容擦除（规复为全「1」），以便写入新的内容。
EPROM个别是将芯片用紫外线照耀15～20分钟阁下，以擦除此中的内容，而后用公用的EPROM写入器将信息从新写入，一旦写入则绝对牢固。在闪速存储器大批利用之前，EPROM常用于软件开辟进程中。
2、电擦可编程只读存储器（EEPROM或E2PROM）
EEPROM用电气方式将芯片中存储内容擦除，擦除速率较快，乃至在联机状况下也能够操纵。绝对来讲，EPROM用紫外线擦除内容的操纵就更庞杂，速率也很慢。EEPROM既可应用字擦除方法又可应用块擦除方法，应用字擦除方法可擦除一个存储单位，应用块擦除方法可擦除数据块中全部存储单位。
3、闪速存储器（Flash ROM）
闪速存储器（Flash ROM）是20世纪80年月中期呈现的一种块擦写型存储器，是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器，Flash ROM冲破了传统的存储器系统，改良了存储器产物的特征。
Flash ROM中的内容不像RAM一样须要电源支撑才干保留，但又像RAM一样可重写。在某种低电压下，Flash ROM的外部信息可读弗成写，相似于ROM，而在较高的电压下，其外部信息能够变动和删除，又相似于RAM。
Flash ROM能够用软件在PC中改写或在线写入信息，一旦写入则绝对牢固。因而，在PC中可用于存储主板的BIOS顺序。因为支撑改写，就便于用户自行进级BIOS，但这也给病毒发明了精良情况，有名的CIH病毒恰是应用这个特色来损坏BIOS，从而致使全部体系瘫痪的。别的，因为单片存储容量大，易于修正，Flash ROM也常用于数码相机和U盘中，因其存在低功耗、高密度等特色，且没无机电挪动安装，特殊合适于便携式装备。
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