长江存储量产64层3D NAND闪存一文盘点2019年存储产业大事件-电子发烧友网

cslehe · 发表于 2021-4-2 12:47:44

#111723#与2018年的并购、建厂、扩产、投产比拟，到现在为止，往年的存储器范畴并未呈现大范围的并购建厂，而是愈加重视技巧的进级、以及新产物的研发。
海内企业方面长江存储和合肥长鑫两个严重名目的投产，无疑为其余存储器企业增加了信念。
上面一同回想一下2019年前9个月存储工业范畴产生的那些大变乱。
（一）海内企业篇紫光团体正式进军DRAM工业
6月30日，紫光团体正式发布组建紫光团体奇迹群，为此紫光团体组建了DRAM奇迹群，由刁石京任奇迹群董事长，高启全为奇迹群CEO。
众所周知，紫光团体此前始终以NANDFlash为存储重视点开展偏向，现在，DRAM奇迹群的组建象征着紫光团体正式进军DRAM范畴。
随后，紫光敏捷规划，并于8月27日与重庆市当局签订了配合协定，将在重庆建立DRAM总部研发核心、紫光DRAM奇迹群总部、DRAM存储芯片制作工场等。此中紫光重庆DRAM存储芯片制作工场重要专一于12英寸DRAM存储芯片的制作，该工场打算于2019岁尾动工建立，估计2021年建成投产。
长江存储量产64层3DNAND闪存
紫光团体旗下长江存储的64层3DNAND闪存芯片在第二届中国国际智能工业博览会上初次公然展出。
随后，长江存储在其官方微信正式发布，曾经量产64层256GbTLC3DNAND闪存，以满意固态硬盘、嵌入式存储等主流市场利用需要。
据懂得，长江存储64层3DNAND闪存是寰球首款基于Xtacking架构计划并实现量产的闪存产物。而Xtacking架构是长江存储于往年8月推出的全新3DNAND架构，通过此架构引入批量出产，能够明显晋升产物机能、收缩开辟周期和出产制作周期。
长江存储上海研发核心落户张江
在2019天下人工智能大会时期，长江存储上海研发核心落子上海集成电路计划工业园。
据张江高科报导，紫光长存（上海）集成电路无限公司（以下简称“紫光长存”）与张江高科签约的长江存储上海研发核心为自立研发存储芯片名目，属芯片范畴卡脖子要害产物，估计研发投入每年不低于1亿元。
国度企业信息公示体系表现，紫光长存建立于2019年4月，注册资源5000万元，由长江存储科技无限义务公司100%持股。重要从事集成电路及相干产物的计划、研发、贩卖，并供给相干范畴内的技巧效劳及技巧征询，从事货品及技巧收支口营业。
合肥长鑫长鑫存储DRAM芯片发布投产
9月20日，在安徽合肥召开的2019天下制作业大会上，长鑫存储内存芯片自立制作名目发布投产，其与国际主流DRAM产物同步的10纳米级第一代8GbDDR4首度表态。
据懂得，长鑫存储内存芯片自立制作名目于2016年5月由合肥市当局旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易翻新独特出资组建，是安徽省单体投资最大的产业名目，一期计划产能每月12万片晶圆。
现在，该名目已通过层层评审，并取得工信部旗下检测机构中国电子技巧尺度化研讨院的量产良率检测讲演。
据长鑫存储董事长兼首席履行官朱一明表现，投产的8GbDDR4曾经通过量个海内外大客户的验证，往年底正式交付。
合肥长鑫集成电路制作基地名目签约
9月21日，在2019天下制作业大会上，合肥市当局与长鑫存储技巧无限公司、华裔城团体无限公司、南方华创科技团体股分无限公司等就合肥长鑫集成电路制作基地名目签约。
合肥长鑫集成电路制作基地名目总投资超越2200亿元，选址位于合肥空港经济树模区，占空中积约15.2平方千米，由长鑫12英寸存储器晶圆制作基地名目、空港集成电路配套工业园和合肥空港国际小镇三个片区构成。
此中长鑫12英寸存储器晶圆制作基地名目总投资1500亿元；空港集成电路配套工业园总投资超越200亿元，位于长鑫存储名目以西；合肥空港国际小镇总投资约500亿元，计划面积9.2平方千米，总建造面积420万平方米，位于长鑫存储名目以北。
制作基地全体建成后，估计可构成产值范围超2000亿元，会聚高低游龙头企业超200家，吸引各种人材超20万人。
（二）外洋企业篇东芝一、与西数结合投资北上K1工场
往年5月，东芝存储器和西数告竣正式协定，独特投资东芝存储器现在正在日本岩手县北上市制作的“K1”制作工场。
据懂得，K1工场将出产3DNANDFlash，以支撑数据核心，智妙手机和主动驾驶汽车等利用中一直增加的存储需要。
东芝存储器表现，K1工场的建立估计将在2019年春季实现，而东芝存储器和西部数据对K1工场装备的结合投资将从2020年开端实现96层3DNANDFlash的初始出产，估计产量更高的时光则在2020年晚些时间开端。
二、四日市工场停电
6月15日，日本四日市市停电13分钟，而东芝存储器由于在该市具有多个工场也随之备受存眷。
东芝存储器在四日市市经营5个晶圆厂（分辨为NY2，Y3，Y4，Y5和Y6），虽然东芝存储器正试图将其出产基地扩大到岩手县的北上市，但就现在而言，其NAND出产仍然以四日市市为核心。
现在，几个月从前，东芝存储器早已规复出产。
据悉，该变乱也影响了西数和东芝存储器独特经营的出产装备，西数表现，变乱对晶圆和制作装备的侵害将使西数的丧失到达3.39亿美元，同时也使其第三季度的NAND晶圆供给量增加约6EB(exabytes)。
三、寰球改名为Kioxia
7月18日，东芝存储器发布，将于2019年10月1日正式改名为Kioxia公司。寰球全部东芝存储器公司都市采取新的品牌称号Kioxia，基础上统一生成效。而东芝电子（中国）无限公司打算将于2020年春季实现改名。
东芝存储器称，融会了“影象”与“代价”的两重含意，Kioxia代表了公司以“存储”助力天下开展的任务，同时也是公司愿景的基石。
从1987年发现了NAND闪存，到近期又推出最新3DNANDBiCSFLASHTM，东芝存储器推进了闪存NAND的技巧开展。
东芝表现，Kioxia将首创新的存储器时期，以应答日趋增大的容量、高机能存储和数据处置的需要。
四、收购台湾光宝SSD营业8月30日，光宝发布，将旗下固态贮存(SSD)奇迹部分宰割让予100%持股的子公司建兴，而后再以股权出卖方法，将固态贮存奇迹部让渡予东芝存储器。
此中出卖的内容包含存货、呆板装备、员工团队、技巧与常识产权、客户供给商关联等业务与资产，买卖对价金额暂定为现金1.65亿美元，而整起股权出卖案估计2020年4月1日实现。
对于该收购案，集邦征询半导体研讨核心(DRAMeXchange)以为，光宝旗下的固态存储奇迹具效力与机动度的上风，东芝存储器将无机会借着此次购并发生质的奔腾。
美光一、规复向华为出货部份芯片
往年5月，美国商务部将华为列入一项黑名单后，美国存储芯片大厂美光也结束了华为的出货。但是，未几以后，有外媒报导，美光履行长SanjayMehrotra表现，在评价美国对华为的禁售令以后，曾经规复部份芯片出货。
美光肯定，能够正当规复一部份现有产物出货，由于这些产物不受出口治理条例(EAR)和实体清单的限度。Mehrotra同时指出，由于华为的情形仍然存在不肯定性，因而美光没法猜测对华为出货的产物数目或延续时光。
不外，到现在为止，尚未有美光再次向华为结束出货的新闻传出。
二、耽误日本广岛DRAM新厂投资打算
据懂得，美光位于日本广岛的DRAM工场(Fab15)采取的是最早进制程技巧。此中，该厂最新的出产厂房B栋已于6月初完工启用，其无尘室的面积较本来扩展了10%。
该厂本来估计在2020年的7月份实现兴修，现在曾经耽误到2021年的2月份，足足向后耽误了7个月的时光。
至于为何耽误投资？TrendForce集邦征询表现，寰球商业磨擦升温恐致往年下半年需要急冻、不肯定性气氛进步，使得材料核心的资源付出放缓，估计在往年岁尾前，承压才能差的DRAM供给商生怕将认列账面上现有库存丧失，财政报表正式转为盈余状态。以是，在如许的市场气氛下，美光对于先前计划的投资打算，不得不做出修改与调剂。
三、新加坡闪存厂实现扩建
虽然美光在日本广岛的DRAM新厂投资打算被耽误，但在NANDFlash工场的扩建方面，美光有了最新停顿。2019年8月14日，美光发布实现新加坡NANDFlash厂Fab10A的扩建！
扩建的Fab10A为晶圆厂区无尘室空间带来运作上的弹性，可增进3DNAND技巧进步制程节点的技巧转型。别的，扩建的Fab10A厂区将依据市场需要调剂资源付出，在技巧及产能转换调剂情形下，Fab10厂区总产能将坚持稳定。
SanjayMehrotra表现，新厂区将视市场需要调剂资源付出及产能计划，并利用进步3DNAND制程技巧，进一步推进5G、AI、主动驾驶等要害技巧转型。
SK海力士一、停产部份NANDFlash产物
2019年第一季度，SK海力士财报表示不尽如人意，营收为6.77兆韩元，环比下滑32%，同比下滑22%；业务利润为1.37兆韩元，环比下滑69%，同比下滑69%；净利润1.1兆韩元，环比下滑68%，同比下滑65%。
因而，SK海力士表现，为专一于改良收益，在NANDFlash部份，将结束出产本钱较高的36层与48层3DNAND，同时进步72层产物的出产比重。
在DRAM范畴，将逐步扩展第一代10纳米(1X)产量，并从下半年起，将主力产物调换为第二代10纳米(1Y)产物。与此同时，为声援新款效劳器芯片的高用量DRAM需要，将开端供应64GB模块产物。
二、量工业界首款128层4DNAND芯片
6月26日，SK海力士发布，已胜利开辟并开端量产天下上第一款128层1TbTLC4DNAND闪存芯片。
在雷同的4D平台和工艺优化下，SK海力士在现有96层NAND的基本上又增添了32层，使制作工艺总数增加了5%。与以往技巧迁徙比拟，96层向128层NAND过渡的投资本钱下降了60%，大大进步了投资效力。
这款128层的1TbNAND闪存芯片实现了业界最高的垂直重叠，具有3600多亿个NAND单位，每个单位在一个芯片上存储3位。相较于此前的96层4DNAND，SK海力士新的128层1Tb4DNAND可使每块晶圆的位产能进步40%。
三星推出1Z纳米制程DRAM
在静态随机存取存储器(DRAM)制程连续进入1X及1Y制程范畴以后，三星电子于2019年3月21日发布，开辟第3代10纳米品级(1Z纳米制程)8GB高机能DRAM。
而这也是三星开展1Y纳米制程DRAM以后，阅历16个月，再开辟出更进步制程的DRAM产物。
跟着1Z纳米制程产物问世，并成为业界最小的存储器出产节点，三星的出产效力比之前1Y纳米等版DDR4DRAMUL4高20%以上。
三星指出，跨入1Z纳米制程的DRAM出产，将为寰球IT放慢朝向下一代DRAM界面，包含DDR5、LPDDR5和GDDR6等预做筹备。
量产寰球首款12GbLPDDR5DRAM
往年年终，三星发布开端量产大容量举动式DRAM——业界首款12GBLPDDR4X，而4个月以后，三星DRAM产物线再次增添新的成员。
7月18日，三星电子官方发布量产寰球首款12GbLPDDR5DRAM。据懂得，三星12GbLPDDR5DRAM重要针对将来智妙手机，优化其5G和AI功效。
采取第2代10纳米品级制程的新款12GbLPDDR5DRAM，传输速率可到达5500Mbps，是现有LPDDR4X速度(4266Mbps)的1.3倍。三星表现，在本次12GbLPDDR5DRAM大批出产以后，2020年将量产16Gb的LPDDR5DRAM颗粒。本文来自寰球半导体视察大众号，作者：刘静，本文作为转载分享。
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