2019年全球半导体市场增速将进一步放缓

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#111723#<p>依据天下半导体商业协会(WSTS)数据表现，2018年寰球半导体市场贩卖额达4,687.78亿美元，同比增加13.7%，绝对2017年的21.6%的大幅增加有所放缓。从现在半导体行业主流国际机构的猜测来看，2019年寰球半导体市场增速将进一步放缓。

<p>Source: Gartner
<p>据Gartner 2018 Q4猜测，2019年、2020年、2021年、2022年，寰球半导体市场贩卖分辨为4,890亿美元、5,280亿美元、5,190亿美元、5,390亿美元，分辨增加2.5%、8.1%、-1.8%、3.8%。
<p>寰球半导体市场风波幻化，工业增加一直离不开市场利用的驱动。由上可知，2017年是半导体工业增速放缓的拐点，一样是从2017年开端，智妙手机增速放缓，开端进入存量市场，然后将在2021年呈现比拟大的消退，全部半导体工业延续上扬的动能略显疲态。
<p>“继智妙手机以后，可能担负多技巧融会载体、拉动半导体疾速上扬重担的就是将来的聪明汽车。” 华虹宏力策略、市场与开展部科长李健在中国电子ICT媒体论坛暨2019工业和技巧瞻望研究会上表现，汽车电子化是大势所趋。起首，从汽车的本钱构造来看，将来芯片本钱无望占汽车总本钱的50%以上，这会给全部半导体带来宏大的市场需要；其次，汽车是个传统的制作业，然而个能让人热血沸腾的制作业。

<p>李健指出：“当传统的汽车制作业碰到现今的半导体，将会酿成下一个引领海潮的利用载体。”半导体能为电动汽车带来更强盛的“心脏”，如主动驾驶处置器、ADAS芯片等，同时也带来更强盛的机能，让电动汽车带来更好的休会，这就须要采取大批的功率器件，比方MOSFET、IGBT等，这也恰是电动汽车中对半导体工业而言所包含的新机会。

<p>数据表现，2020年，海内新动力车的贩卖目的是200万台，寰球是700万台，这是一个十分大的市场。有别于传统车，新动力车外面有机电、电池、车载充机电、机电逆变器和空调紧缩机，这些都须要大批的功率器件芯片。电动化除了车辆自身的变更以外，还给后装的零部件市场也带来新的需要，同时配套用电设备，比方充电桩，也带来大批的功率器件需要。
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<p>基于海内电动汽车市场占寰球市场的1/3，2020年寰球汽车市场可能须要30万片/月的8英寸IGBT晶圆产能。李健分享说：“除了汽车市场，IGBT在别的利用市场中也广受欢送，业内有见解以为还须要新建十座IGBT晶圆厂。”

<p>在汽车电子化大潮涌动之时，临时延续静态追踪市场变更的华虹宏力灵敏地洞察业界意向并实时规划：华虹团体旗下华虹宏力早在2002年已开端功率半导体的自立创“芯”路，是业内首个具有深沟槽超等结（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及场停止型IGBT（Field Stop，FS IGBT）工艺平台的8英寸代工场；产物线上，华虹宏力的功率半导体产物片面涵盖从200V以下高压段、300V到800V的中高压、以及600V到3300V乃至高达6500V的高压段等利用，聚焦于Trench MOS/ Split-Gate Trench（SGT）、DT-SJ和IGBT等，并亲密存眷GaN/SiC等新型宽禁带资料的开展。

<p>华虹宏力功率器件范畴核“芯”技巧
<p>据李健先容，硅基MOSFET是华虹宏力功率器件工艺的基本。通过一直缩小间距、晋升元胞密度、下降导通电阻，华虹宏力用延续当先的优良品德，以及稳固的良率博得宽大客户的赞美。值得一提的是，在牢靠性请求极其严厉的汽车范畴，华虹宏力MOSFET产物已共同客户实现中心要害部件如汽车油泵、转向助力体系等的利用，为业界当先。
<p>深沟槽超等结MOSFET(DT-SJ)是中流砥柱。超等结MOSFET实用于500V到900V电压段，其电阻更小、效力更高、散热绝对低，在请求严苛的开关电源等产物中有大批利用。深沟槽型超等结MOSFET是华虹宏力自立开辟、具有完整常识产权的创“芯”技巧，相干专利超越20项。其第三代深沟槽超等结工艺流程紧凑且胜利开辟沟槽栅的新型构造，无效下降结电阻，进一步缩小了元胞面积，技巧参数达业界一流程度，可供给导通电阻更低、芯片面积更小、开关速率更快和开关消耗更低的产物处理计划。为了延续为客户发明更多代价，华虹宏力的深沟槽超等结MOSFET工艺一直进级，每次单元面积导通电阻的技巧特征优化都在25%以上。
<p>硅基IGBT芯片是将来。IGBT是电动汽车核“芯”中的中心，对晶圆制作的才能和教训请求十分高，其难点和机能上风重要在于反面加工工艺。现在海内能加工IGBT的产线还比拟少，华虹宏力是海内为数未几可用8英寸晶圆产线为客户供给高品德代工效劳的厂商之一，具有反面薄片、反面高能离子注入、反面激光退火以及反面金属化等一整套完全的FS IGBT的反面加工处置才能，可助力客户产物比肩业界主流的国际IDM产物，在市场竞争中获得更大上风。
<p>SiC和GaN等宽禁带资料本身上风十分显明，将来10到15年的市场空间很大。细分来看，SiC的市场利用远景明白，而GaN对准的无人驾驶LiDAR等翻新型利用仍存在变数；从技巧成熟度来说，SiC二级管技巧已成熟，MOS管也已小批量供货，而GaN来讲，SiC基GaN绝对成熟但本钱高，Si基GaN则仍不敷成熟；从性价比来说，SiC量产后无望疾速拉低本钱，而GaN的新型利用如不能准期上量，本钱降落会比拟迟缓；不外Si基GaN最大的上风在于能够和传统CMOS产线兼容，而SiC则做不到这点。华虹宏力将坚持对宽禁带资料的亲密存眷，以期合时切入，为客户供给更高附加值的响应效劳。

<p>现实上，华虹宏力从2002年开端自立创“芯”路，是寰球第一家存眷功率器件的8英寸纯晶圆厂。2002年到2010年，连续实现进步的沟槽型中高压MOSFET/SGT/TBO等功率器件技巧开辟并量产；2010年，高压600V到700V沟槽型、立体型MOSFET工艺开辟实现，并进入量产阶段；2011年第一代深沟槽超等结工艺进入量产阶段，同年，1200V沟槽型NPT IGBT工艺也实现研发进入量产阶段；2013年，第2代深沟槽超等结工艺推向市场，同时600V到1200V沟槽场停止型IGBT（FDB工艺）也胜利量产……经由多年研发翻新和延续积聚，华虹宏力得以有节拍地逐渐推动自立创芯过程。
<p>2018光阴虹宏力特点工艺累计取得中国/美国无效受权专利超越3000件，攻破了中国半导体工业过火依附技巧引进的局势，大大下降特点工艺技巧本钱，为海内外客户供给了愈加经济无效的造芯平台。作为寰球最大的功率分立器件8英寸纯晶圆代工场，华虹宏力8英寸MOSFET累计出货现在已超越700万片晶圆。
<p>不外，在外部情况的推进下和行业周期性调剂，全部半导体工业将未免遭受消退期。由上可知，据Gartner猜测，2021年寰球半导体市场贩卖增加率为-1.8%，寰球半导体工业将会有一轮新的较大的消退。届时需要端有比拟大的下滑，供应端却有大幅增加，如许就轻易发生危急。
<p>面临如许的工业趋向，华虹宏力有何应答之策？李健表现，公司的团体策略仍然是保持走特点工艺之路，也就是保持“8+12”的策略规划。8英寸的策略定位是“广积粮”，重点是在“积”这个字上。华虹宏力有超越20年的特点工艺技巧积聚，包含功率器件、Flash技巧等等；同时这20余年来积聚了良多策略客户配合的情义；持续32个季度红利的赫赫成就，也为华虹宏力积聚了大批的资源。

<p>正由于有这些积聚，华虹宏力能够开端规划12英寸特点工艺出产线。12英寸的策略定位是“高筑墙”，重点是在“高”字上。华虹宏力将通过12英寸进步特点工艺技巧，延长8英寸特点工艺上风，拓宽护城河，进步技巧壁垒，拉开与死后竞争者的差距。
<p>现在，华虹宏力正通过技巧研发，将特点工艺从8英寸逐渐推动到12英寸，技巧节点也进一步推动到90纳米以下，至65/55纳米，以便给客户供给更大的产能和进步工艺支撑，联袂再上新台阶。
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