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麻省理工开发微加工技术可生产最小的3D晶体管

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发表于 2021-4-12 21:17:27 | 显示全部楼层 |阅读模式
#111723#摩尔定律是指盘算机芯片上的晶体管数目每隔2年阁下会翻一番,并在从前数十年中胜利验证。不外随同着出产工艺请求的晋升,越来越多的人质疑将来摩尔定律能否仍然无效。
麻省理工学院和科罗拉多大学的工程师克日胜利研收回新的微加工技巧,可用于出产有史以来最小的3D晶体管,尺寸是现在主流商用产物的三分之一。

几年前,芯片行业的尺度是14nm出产工艺,是指每个晶体管的宽度。现在在贸易范畴,iPhone XR、iPhone XS和iPhone XS Max上设备的A12 Bionic芯片就是7nm出产工艺,并且现在曾经有出产厂商开端实验5nm出产工艺。
而研讨职员开辟的一些新晶体管再次将其减半,依据丈量创记录的到达2.5纳米宽。
为了制作它们,该团队在新进开辟的微加工工艺热原子层蚀刻(thermal ALE)基本长进行了改良。起首他们将称之为铟镓砷(indium gallium arsenide)的合金半导体资料裸露于氟化氢(hydrogen fluoride)上,用于在基板名义上构成薄薄的金属氟化物层。
接上去该团队增加了一种名为二甲基氯化铝(DMAC)的无机化合物,用于触发配位体交流(ligand exchange)的化学反映。DMAC中名为“ligands”的离子和金属氟化物层中的原子联合,因而当DMAC被肃清时,它将单个原子从金属名义上剥离。每次刻蚀仅0.2纳米,当反复数百次进程时,蚀刻精度能够到达使人赞叹的田地。
该研讨的第一作者卢文杰说:“这就有点像是一层层的剥洋葱。在每个轮回中,咱们只能蚀刻掉2%的纳米资料。这使咱们存在超高的精度和对进程的准确把持。”研讨职员应用该技巧制作了FinFET(鳍片场效应晶体管),平日情形下精度为5nm,而最高精度能够到达2.5纳米。
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